8月13日，记者从复旦年夜学获悉，该校周鹏-刘春森团队从界面项目出发，于国际上初次实现了最年夜范围1Kb纳秒超快闪存阵列集成验证，并证实了其超快特征可延长至亚10纳米。相干研究结果12日揭晓在国际期刊《天然 电子学》。

人工智能的飞速成长火急需要高速非易掉存储技能，当前支流非易掉闪存的编程速率遍及于百微秒级，没法支撑运用需求。该研究团队于前期发明二维半导体布局可以或许将其速率晋升一千倍以上，实现倾覆性的纳秒级超快存储闪存技能。可是，实现范围集成、走向现实运用仍具备应战。

为此，研究职员开发了超界面项目技能，于范围化二维闪存中实现了具有原子级平整度的异质界面，联合高精度的表征技能，显示集成工艺优在国际程度。研究职员经由过程严酷的直流存储窗口、交流脉冲存储机能测试，证明了二维新机制闪存于1Kb存储范围中，于纳秒级非易掉编程速率下的良率可高达98%，这一良率高在国际半导体技能线路图对于闪存打造89.5%的良率要求。

同时，研究团队研发了不依靠进步前辈光刻装备的自瞄准工艺，联合原始立异的超快存储叠层电场设计理论，乐成实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件。该器件是今朝国际最短沟道闪存器件，冲破了硅基闪存物理尺寸极限，约15纳米。于原子级薄层沟道撑持下，这一超小尺寸器件具有20纳秒超快编程、10年非易掉、10万次轮回寿命以及多态存储机能。

研究职员先容，此项研究事情将鞭策超快闪存技能的财产化运用。

（原标题：我科学家实现纳秒编程闪存范围集成以及8纳米极限微缩）